전계 방출 디스플레이(FED) 소개

전계 방출 디스플레이(FED)는 CRT가 지니고 있는 결정적인 약점들, 즉, 열전자 방출로 인한 온도 상승, 전자들의 포커싱과 가속을 위한 고전압 인가, 그리고 주사 방식으로 영상을 만들어야 하기 때문에 갖는 음극과 형광체간의 긴 거리, 즉 큰 부피와 두께 문제 등을 해결하기 위하여 고안되었습니다. 즉, 반도체와 박막, 후막 공정 등을 이용하여 마이크론 크기의 작은 전자총 어래이를 만들고, 이로부터 열이 아닌 전계(Electric Field)로 전자들을 방출(Emission), 가속시켜서 형광체를 여기하여 빛을 만들어내는 디스플레이입니다. 전자 방출원으로는 금속이나 실리콘 팁, 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 혹은 표면에 형성된 나노 스케일 구조 등이 다양하게 적용되었고, 이러한 전자 방출원들이 각 화소마다 충분한 갯수로 존재하므로 주사 방식이 필요치 않습니다. 아울러, 전자 방출원이 형성된 음극 기판과 형광체의 양극 기판 간의 간격도 1mm 이내로, 형광체도 CRT 보다는 낮은 전압인 수 kV 정도에서 여기가 되므로 음극선관과 같은 수준의 영상을 평판 디스플레이로서 구현할 수 있다는 매력이 있습니다.

시작은 1968년에 미국 SRI(Stanford Research Institute)에서 금속 팁을 이용한 전계 방출 소자 어래이(Field Emitter Array, FEA)의 구조와 제조 공정을 제시함으로써, 반도체 기술로 제작되는 진공관, 즉, 진공 미소전자공학(vacuum microelectronics) 분야의 문을 열었습니다. 이를 발전시켜서 1985년에 프랑스의 LETI(Laboratorie d'Electronique de Technologie et d'Instrumentation)에서 보다 안정성있는 전자 방출원과 형광체 기술을 개발, 이를 적용한 디스플레이 소자를 시연하여 FED의 제품화 가능성을 제시하였습니다. 이 기술을 이어 받아서 1992년에 FED를 생산하기 위한 벤처, PixTech이 설립되었고, 이후 몇몇 업체들이 개발과 생산을 목표로 합류하였으나 금속 팁 FEA가 갖는 한계, 특히 동작 안정성과 재현성, 대면적화, 그리고 생산성에서의 장벽을 넘지 못하고, 답보 상태로 이어졌습니다. 2000년대에 들어서면서 삼성과 캐논 등에서 금속 팁 FEA를 대신하여 CNT 전자 방출원을 적용한 FED와 표면 전도성 전자 방출원 디스플레이(Surface-conduction Electron-emitter Display, SED) 등의 기술로 시제품을 시연하는 등, FED의 제품화를 적극 추진하였으나, LCD와 OLED, 두 기술의 비약적인 발전으로 끝내 상용화 의지가 꺾이고야 말았습니다. 특히, 2000년대에 들어서, 일본의 소니가 FED 개발, 상용화 의지를 가지고 2009년까지 노력하였으나, 결국 LCD의 위세에 눌려 좌절되었고, 이 기술을 이어받아 2010년부터 대만의 AUO(AU Optronics)가 개발을 지속하였으나, 2016년쯤 포기, 결국 FED는 시장에 나오지 못하였습니다.

FED가 좌절된 원인으로는 경쟁 디스플레이들의 장벽을 넘지 못하였다는 점이 치명적이지만, 기술 부분에서도 몇가지 문제점들이 있었습니다. 먼저, 전자 방출원의 효율이 주로 전자가 방출되는 부분인 뾰족한 팁에 의해 결정되는데, 이 부분이 이온과의 충돌이나 반응에 의해 손상을 입는다는 점입니다. 이때 이온들은 잔류 기체들에 고전압이 걸리면서 발생하게 되죠. 다른 문제점은 디스플레이 내부가 CRT와 비슷한 이유로 진공으로 유지가 되어야 한다는 점입니다. 그리고 장시간 동안 작동하여야 하는데, 전자나 이온과 충돌하는 형광체로부터의 잔류 기체 등이 진공도를 떨어뜨려 성능에 영향을 줍니다. 이 외에도 전자 방출의 균일성, 저전압 형광체 기술의 미흡, 게이트 및 매트릭스 구동이 만만치 않았던 점등이 난점들이었습니다.

FEA와 FED가 활발히 연구되었던 1990년대부터 10여년간의 시기는 국내외 연구자들이 진공 미소전자공학의 매력에 한껏 취해있던 시기였습니다. FED의 연구에는 반도체 기술을 비롯하여, 마이크로 나노 미세 가공 기술, 전자기 시뮬레이션, 물리 화학적 이론과 소재, 회로와 시스템 기술이 복합적으로 적용되었으며, 비록 평판 디스플레이로써의 꿈은 좌절되었을지라도, 이를 이용한 파생 기술과 소자, 즉, 진공 터널링 소자, 센서와 마이크로 진공관, 휴대용 x-ray 발생기, 그리고 이오나이저 등이 지금까지도 그 꿈을 이어가며 제품화와 실용화를 이루고 있습니다. 최초의 기술에 대한 과감한 도전은 실패하더라도 값진 경험과 이로부터 얻어진 산물들, 결국은 그 가치를 발휘한다는 점은 명확합니다.

진공 형광 디스플레이(VFD) 소개

VFD는 기본적으로 3극 진공관의 구조를 가지며, 음극의 필라멘트에서 방출된 열전자가 그리드 전극을 통과하면서 제어, 가속화되어 양극에 있는 형광체를 여기시키면서 발광하는 직시형, 자발광 디스플레이입니다. 기본 원리는 CRT와 유사하나, 동작 전압이 낮으며, 영상보다는 문자나 간단한 그래픽을 표현하지요. 양극의 형광체는 용도에 맞게 선택적으로 패터닝이 되어 있으며, 따라서 용도와 사양이 먼저 구체적으로 결정이 되고 이에 맞추어 만들어지는 용도 맞춤형 디스플레이에 해당하죠. 그리드와 양극의 구동 방식들로는 정적(static) 구동, 동적(dynamic) 구동, 그리고 능동 매트릭스(Active Matrix, AM )구동으로 구분이 됩니다. 정적 구동은 화소(segment) 수가 적은 경우에 사용되며 그리드를 분할하지 않고 공통 전압이 인가되며, 양극에 독립적으로 인가되는 외부 전압에 의해 표시 상태가 결정됩니다. 동적 구동은 화소가 적당히 많은 경우, 배선수를 줄이기 위해 그리드를 분할 구동하는 방식입니다. 즉, 그리드와 양극 화소를 교차 배열하고 그리드로 스위칭하여, 구동을 합니다. 능동 매트릭스 구동은 리드 단자들이 증가하면서 회로가 복잡해지는 것을 피하기 위해 각 화소마다 기억 회로가 설치됨으로써, 높은 밝기와 해상도를 필요로 하는 경우에 유리합니다. 일반적으로 평균 밝기는 640nit 정도이고, 높은 밝기가 필요할 경우에는 4,000nit도 가능합니다. 빨간색의 경우, 수명이 1,500시간 정도에 불과하지만, 녹색의 경우 30,000시간에도 이릅니다.

초기의 VFD는 1959년에 필립스에서 개발되었으며, 이 제품은 단색 제품의 관 형태로 전구보다 긴 수명을 가졌습니다. 이후, 1960년대 들어서면서 7-segment 타입이 일본에서 개발되었고, 전자계산기에 효과적으로 적용되어, 1970년대 이후, 전자계산기와 함께 크게 성장하였습니다. 1980년대에는 후막 인쇄 기술로 VFD가 양산되었고, 다양한 전자 제품의 표시기로서 응용되었는데, 특히 LCD의 칼라 표현이 어려웠던 시기에 다양한 색상의 적용이 가능하였기에, 상대적으로 유리하였으며 이로써 게임기, 계측기, 오디오, 자동차의 전장 부문 등에 폭넓게 적용되었습니다.

1990년대에는 박막 기술과 배선 기술이 발전하면서 문자와 함께 다양한 기호나 도안 등의 그래픽까지 가능한 제품이 출시되었으나, LCD의 급격한 발전으로 정체 내지는 쇠퇴기를 맞아 지금은 일부 가전기기, 구형 단말기, 전자계측기, 택시 미터 요금기 등에서 일부 적용되고 있는 상황입니다.

다만, VFD는 맞춤형 제작이 용이한 장점을 가지고 있어 소규모 시장에서 꾸준히 자리할 것으로 예측됩니다. 즉, 주요 디스플레이인 LCD와 OLED가 대규모 투자와 시설, 장비 중심적인 사업으로 맞춤형 다품종 소량 생산에 적합하지 않기 때문에, VFD는 기존 디스플레이들의 기술 혁신과 마케팅 전략이 구체화 되기 이전까지는 소형 맞춤형 디스플레이로서 지위를 유지할 것으로 기대가 되며, 향후로도 생존 여부는 소량 다품종, 저렴한 가격으로 경쟁력 있는 용도를 발굴, 확보하는 데에 달려있습니다.

 발광 다이오드(LED)소개>>

LED는 전계 발광형, 발광형 반도체 소자이나, LCD의 후면 광원(back-light)으로 사용이 되고, 또한 LED들을 배열하여 아웃 도어용 디스플레이, 즉 LED 디스플레이로 운영 중이며, 최근에는 디스플레이의 화소 만큼이나 작은 LED 칩들을 유리 기판 등에 전사하여 인 도어용 TV나 모바일 기기, 혹은 마이크로 디스플레이로써 이용하고자 하는 마이크로 LED 기술로서 개발, 일부 제품화가 시작되고 있어서 디스플레이로써 분류, 소개하고자 합니다. LED 칩은 p형과 n형 반도체의 이종 접합(hetero-junction) 구조를 가지는데, 순방향으로 전압을 인가하죠. 그러면 n형 반도체의 전극으로부터 주입된 전자와 p형 반도체로 주입된 정공이 각각의 반도체 영역, 즉, 서로 다른 에너지 대역으로 이동을 하여 p-n 접합부에 부근에서 밴드갭을 넘어 결합을 하는데, 이 때 밴드갭에 해당하는 에너지가 빛으로 방출됩니다.

화합물 소재의 에너지 준위, 밴드 갭에 따라서 빛의 색깔이 달라지며, 빛의 밝기는 전류에 비례합니다. 효율이 높고 수명이 수만 시간 이상으로 매우 길죠. 단일 소자들로는 광 통신이나 단일 광원 등으로 이용되고, 이를 어레이로 만들어서 조명이나 디스플레이에 활용 중입니다. 또한 소재 선택에 따라 가시광선은 물론, 자외선, 적외선 영역의 발광까지도 가능합니다. 범용화된 소자, 소재들을 나열하여 보면, AlGaAs는 적외선이나 빨간색, AlGaInP는 오렌지색, 노란색, 녹색, AlGaN, GaN, InGaN 등은 녹색, 파란색, 보라색, 그리고 자외선, GaAsP는 노란색, 빨간색, 오렌지색, GaP는 빨간색, 노란색, 녹색, ZnSe는 녹색, 파란색 등이 있으며, 기판으로는 주로, 사파이어와 탄화 규소 등이 사용되며, 규소 기판은 개발 중입니다.

LED는 1907년, 고체상의 재료에서 빛이 방출되는 현상을 우연히 발견한 실험으로부터 비롯됩니다. 1920년대 중반에 처음으로 독립적인 LED 발광 소자가 만들어졌으며, 1962년에 미국의 제너럴 일렉트릭(General Electric, GE)에서 붉은 가시광선이 나오는 실용적인 LED를 최초로 개발하였습니다. 개발 직후에는 주로 계측, 측정 장비의 표시등으로 사용되었으며, 1970년대 초반에는 7 세그먼트 표시 장치에 사용되었습니다. 이후 다양한 반도체 재료의 개발로 노랑과 초록, 주황색 등을 내는 LED들이 출현하여 여러 표시 소자에 사용되면서 일상으로 보급되었습니다. 초기에는 낮은 주파수 대역의 빛들을 주로 만들었으며, 가격도 매우 높았습니다. 1990년대 초반에 일본에서 GaN(Gallium Nitride) 기반의 청색 LED 개발에 성공하였고, 이를 토대로 효율적인 녹색 LED까지 개발이 되어 빛의 3원색을 LED로 구현할 수 있게 되었으며, 또한 백색 LED까지 만들어집니다.

이와 같이 LED의 개발이 빨강, 초록, 파랑 순으로 개발된 이유는 발생되는 빛 에너지의 크기 차이로, 에너지가 작은 물질이 다루기가 상대적으로 용이하기 때문입니다. 특히 빛의 3원색으로 디스플레이를 커버할 수 있는 빨강, 파랑, 초록 LED의 개발 과정이 흥미롭습니다. 즉, 1980년대 중순까지 빨강 LED는 실용화되었지만, 실용성이 있을 정도로 높은 휘도를 갖는 파랑 LED는 출현하지 못하였습니다. 그리고 노랑이 섞인 초록 LED는 있었지만, 순수한 초록 LED는 파랑 LED 이후에 역시 GaN계 재료를 통하여 얻어지면서 비로소 LED로 RGB가 구현되었죠. 그리고 백색 LED의 개발도 만만치 않았습니다. 백색은 연속된 스팩트럼의 색들이 얻어져야 가능한 색이므로 특정 파장을 내는 LED로 구현하기에는 한계가 있습니다. 주로 형광체를 이용하고 있으며, 혹은 RGB 3색의 LED를 묶어서 백색을 얻는 경우도 있습니다. 1990년대 중반에 빨간색 LED의 광 효율이 백열 전구 수준을 넘었고, 2000년대에 들어서면서 형광등 수준을 능가함으로써 조명과 LCD의 BLU(Back Light Unit)에 본격적으로 이용됩니다. 2004년에 소니에서 최초로 LCD TV에 LED BLU를 적용하였고, 이후 LED BLU를 채택한 LCD TV는 ‘LED TV’라는 브랜드로 확산, 보급되면서 종래의 후면 광원이었던 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)는 더이상 사용되지 않게 되었습니다. 최근에는 LED 칩들을 더욱 소형화시켜, 칩의 크기가 100~50 마이크론 이하인 RGB LED들을 디스플레이의 화소에 배열함으로써 영상을 만들어내는 마이크로 LED로 진화하였고, 2018년에 국제전자제품박람회(CES)에서 삼성전자는 146 인치 크기의 마이크로 LED TV를 선보인 바 있습니다.

현재에는 삼성전자 등에서 초기 제품을 출하, 시장을 확장하여 가고 있죠. 따라서, 향후 TV의 세계는 현재 거의 완성된 OLED TV와, 여전히 진화 중인 QLED TV, 그리고 막 태어난 마이크로 LED TV의 격전지가 될 듯 합니다. 이에 대해서는 후에 좀 더 소상히 기술하겠습니다. LED, 디스플레이의 주변에서 중심으로의 화려한 이동, ‘마이크로 LED’를 기억하세요.

유기 발광 다이오드(OLED)소개

OLED는 전계 발광에 의해 동작하는 자발광 디스플레이로써, 현재까지의 디스플레이들 중에서 가장 얇은 두께를 가지고, 또한 공정 온도가 낮아 유리 기판은 물론 플라스틱 기판에도 만들어지므로 휘거나 말 수 있는 디스플레이로도 제작이 되고 있습니다. 크게 보면 동작 원리는 LED와 같으나 두 개의 전극, 즉 양극과 음극은 투명 전극과 금속과 같은 무기물이고 두 전극 사이의 나머지 층들은 모두 유기물이라는 점이 LED와 다릅니다. 그리고, 두 전극간의 유기물이 분자량이 작은 저분자인지, 혹은 큰 고분자인지에 따라 저분자 OLED와 고분자 OLED로 구분됩니다. (분자량이 1,000 이하이면 저분자, 10,000 이상이면 고분자로 분류하죠. 1,000에서 10,000 사이는 올리고머로 부릅니다. 다만, OLED에서 저분자와 고분자를 분자량 10만 정도를 기준으로 합니다)

지금 제품으로 나오고 있는 OLED는 저분자 OLED들입니다. 동작 원리를 살펴보면, 양극에서 주입된 정공들은 정공 주입층, 전송층을 지나면서 발광층에 도착하고, 반대쪽인 음극에서 주입된 전자들 역시, 주입층, 전송층을 지나서 발광층에 도달합니다. 발광층에서 정공과 전자들이 만나서 결합 과정을 거치면서 들뜬 상태의 결합체인 여기자(exciton)을 만듭니다. 여기자는 말 그대로 결합은 되었으나 여기 상태(excited state)에 있는 경우로, 전자가 에너지를 흡수하여 기존의 상태보다 들뜬 상태에 해당합니다. 이러한 여기 상태는 일시적으로 불안정한 상태로, 안정한 상태인 기저 상태(ground state)로 다시 돌아가며, 그 차이에 해당하는 에너지가 빛으로 만들어집니다. 즉, 전자나 정공의 입장에서 보면 주입, 전송, 여기자 형성, 발광의 4단계를 거치죠.

OLED의 시작은 유기 재료에서의 전계 발광에서 비롯되었습니다. 1963년, 뉴욕 대학교의 M. Pope 교수가 유기 결정에서의 전계 발광을 최초로 보고하였으며, 1987년, 이스트먼 코닥의 연구진들에 의하여 가능성 있는 OLED가 최초로 발표되었는데, 이는 저분자 진공 증착 방식으로 제작되었으며, 2층의 전극과 2층의 저분자 유기막으로 구성되었습니다. 한편 고분자를 이용한 OLED는 전도성 고분자의 개발과 함께 발전하게 되었는데, 전도성 고분자는 1977년, 캘리포니아 대학교의 연구진이 개발하였으며, 이후 1990년에 캠브리지 대학교의 연구진에 의하여 고분자 OLED가 출현하게 됩니다. 그리고, 1998년, 고효율 OLED의 원천 기술인 인광 OLED (Phosphorescent OLED, PHOLED)가 프린스턴 대학교와 남캘리포니아 대학교의 연구진에 의하여 개발되면서 효율을 비롯한 성능이 크게 개선되며, 코닥과 산요가 능동 구동형 OLED(AM-OLED)를 발표합니다. 여기서 잠깐, OLED 발전에 획을 그은 연구 결과들을 살펴보죠.

제품화 과정을 따라가 보면, 1996년, 일본의 파이오니어가 자동차 오디오용 단색 디스플레이를 출시하였고, 2003년에 코닥이 카메라 디스플레이용으로 칼라 AM-OLED를 출시하였습니다. 2007년에는 소니에 의해 최초로11인치급 OLED TV가 상용화 되었으나, 소량 생산에 그치고 더 발전하지 못하였으며, 2012년에 OLED TV 사업에서 잠정적으로 철수를 합니다. 그러나, 2007년에 삼성이 스마트폰 적용을 목표로 모바일 기기용 디스플레이로서 성장을 주도하였고, 이어서 LG에서 TV용 OLED를 출시하게 되면서 바야흐로 꽃을 피우게 됩니다. 2013년에는 LG에 의하여 백색 OLED에 칼라 필터를 적용한 방식으로 50인치급 이상의 OLED TV가 상용화 되면서, LCD와의 본격적인 경쟁을 시작하게 되었으며, 이후 중소형 모바일 기기 시장에서는 LCD를 넘어섰고, 대형 프리미엄급 TV 시장에서는 양자점 광원을 적용한 LCD, 즉, QLED(Quantum-dot LED)와 치열한 경쟁 구도를 형성하고 있습니다. TV에서는 현재, 88인치-8K급 OLED TV가 상용화 되었으며, 이후 소형 모바일 기기로부터 대형 TV에 이르기까지 넓은 시장을 차지하여 가고 있으며, 플라스틱 기판 위에 제조되는 특징을 이용하여 접는(foldable) 스마트 폰과 말 수 있는(rollable) TV 제품들이 등장하는 등, 디스플레이 시장에서 LCD와 함께 쌍두마차를 달리고 있습니다.

박막 전계 발광 소재(TFLED) 소개

전계 발광(EL) 소자는 그 세부적인 적용 원리에 따라 LED와 OLED, 그리고, 지금은 다소 친숙하지 않은 전계 발광 소자(ElectroLuminescent Devics, ELD)로 구분됩니다. LED는 반도체의 p-n 접합 부근에서 발생하는 전자-정공 재결합 과정의 복사성 전이를 이용하고, OLED 역시 유기 물질 내에서 전자-정공쌍의 결합을 이용하는데 비하여, ELD는 발광 중심이 첨가된 매질 내에서 고에너지의 전자가 생성되고 이러한 전자들이 발광 중심을 충격 여기(impact excitation)할 때 발생되는 현상을 이용합니다. 특히 전자가 높은 전기장 내에서 에너지를 얻기 때문에 '고전계 EL' 로 설명되며, 이러한 고전계 EL 소자는 다수 운반자인 전자가 우선적으로 소자의 물리적인 거동을 결정하게 됩니다.

고전계 EL 현상을 이용한 교류 구동형 TFELD(Alternating Current TFELD, AC-TFELD)는 화면역할을 하는 유리 기판 위에 빛이 나오는 방향인 투명 전극인 인듐 주석 산화물((Indium Tin Oxide, ITO)이 형성되고 다음으로 절연층, 발광층, 절연층이 순차적으로 박막 기술로 증착된 다음에 끝으로 후면 전극인 금속이 만들어지는 구조입니다. 투명 전극과 후면 전극 사이에 임계치를 넘는 교류 전압이 인가되면 발광층에서 빛이 발생하고 이 빛은 투명한 박막 층들을 지나서 투명 전극이 있는 유리 기판 쪽으로 나오게 되죠. 이외에도 직류 EL(Direct Current EL, DC-EL), 분말 공정을 이용하는 후막(thick film) EL 등이 있는데, 상징성이 강한 AC-TFELD로 설명을 이어갑니다. AC-TFELD의 발광 현상을 설명하면, 1MV/cm 이상의 높은 전기장에서 에너지를 얻은 전자들(hot electrons)이 발광 중심을 여기, 완화시키는 과정으로 설명됩니다. 즉, 발광층 내부에 형성되는 1차 전자들은 발광층과 절연층 사이의 계면 준위(interface states)로부터의 터널링 효과, 발광층 내부의 깊은 준위로부터의 Poole-Frenkel 효과, 그리고 격자 결함에 의한 정공 포획 준위들로부터 발생되는 것으로 보고되는데, 특히 주요 과정은 절연층과 발광층 사이의 계면 준위에 포획된 전자의 터널링이라 할 수 있습니다. 즉, 계면 전계에 의해 발광층의 전도대로 주입된 1차 전자들은 발광층내의 전계에 의해서 에너지를 얻어 가속되며, 가속된 전자는 발광 중심 이온의 내각 전자를 직접적으로 충돌 여기(direct impact excitation)시키며 에너지를 획득한 내각 전자는 높은 에너지 준위로 여기되었다가 다시 기저 상태로 천이하면서 복사 과정을 일으키는 것으로 설명이 되죠. 이 과정에서 에너지를 잃은 전자들은 반대편의 계면에 포획되었다가 외부 전압의 극성이 반전되면 같은 과정이 다시 반복되면서 연속해서 발광 과정이 진행됩니다. 따라서, AC-TFED는 구동 주파수가 높을수록 휘도가 증가합니다. 고전계 EL 현상은 1936년 프랑스의 연구자, Destriau에 의해 처음으로 관측된 후, 면광원이 가능하다는 점으로 주목을 받았으나 빛의 밝기와 수명 등의 문제가 있었고, 1950년대에 투명 전극이 등장하고 박막(thin film) 기술의 급속한 발전으로 본격적인 개발이 시작된 바 있습니다. 1974년에는 일본의 샤프가 2중 절연층 구조의 TFELD 구조를 개발하였고, 이후 1980년대와 90년대에 이르러 미국의 Planar사가 제품에 가까운 시제품을 발표하는 등, 미국의 Lite tech과 Luxell, 캐나다의 Westaim 등, TFELD 회사들이 속속 등장하였습니다. 당시에는 완전한 고체 디스플레이로써 내구성, 얇고 가벼움 등의 특징으로 마이크로 디스플레이, 군사용 디스플레이, 워크 스테이션 모니터 등으로 장래가 기대되었으나, 동작 전압이 높고, 고품질 박막 형성하는 과정에서의 생산성 문제, 그리고 경쟁 기술이었던 LCD의 비약적인 발전 등으로 한계에 이르러 2000년대에 넘어오면서는 뒤로 물러서는 디스플레이가 되었습니다. 다만, EL 현상과 관련하여 축적된 지식과 아이디어들이 지금도 앞으로도 EL 계열의 디스플레이들, 즉, LED와 OLED의 발전에 뒷받침이 되고 있음은 자명합니다.

<다음호에 이어서 계속>

<본 고의 내용은 저자의 주관적인 견해를 포함하고 있으며, 인용 자료들이 다양하여 일일이 표기하지 못한 점을 양해, 참조 바랍니다.">